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韩国EUV光刻技术进入增长阶段

发行日 : 2020 / 11 / 16

韩国公司在极紫外(EUV)光刻技术上取得了重大进展。

根据KIPO过去10年的专利申请报告,2011年,韩国知识产权局(KIPO)提交的与EUV光刻相关的专利申请数量达到顶峰,在2014年达到88件,在2018年达到55件,在2019年达到50件。2020)。

特别是,韩国公司一直在迅速缩小与外国公司在EUV光刻技术方面的差距。2019年,韩国人提交的专利申请数量为40件,外国人超过10件。这是韩国提交的专利申请量首次超过外国人的专利申请量。到2020年,韩国提交的申请也将是外国申请的两倍以上。

EUV曝光技术是多种先进技术的复合体,例如多层反射镜,多层掩模,防护膜,光源和注册表。在过去的十年中,包括三星电子在内的全球公司进行了深入的研究和开发,以确保技术领先。最近,代工公司开始使用5纳米EUV光刻技术来生产智能手机的应用处理器(AP)。、

按公司划分,六家主要的全球公司占总申请量的59%,卡尔蔡司(德国)占18%,三星电子(韩国)占15%,ASML(荷兰)占11%,S&S Tech(韩国)占8%,台积电(中国台湾)为6%,SK海力士(韩国)为1%。

从详细的技术项目来看,处理技术专利的申请量占32%,曝光设备技术的专利申请量占31%,掩模技术的专利量占28%,掩模的专利量占9%。在工艺技术领域,三星电子占39%,台积电占15%,这意味着两家公司占54%。在口罩领域,S&S Tech占28%,Hoya(日本)占15%,汉阳大学(韩国)占10%,Asahi Glass(日本)占10%,三星电子占9%。

信息来源:https://mp.weixin.qq.com/s/-qWbt_sTeHcgiuGssokQfQ

发布机构: 半导体行业观察(微信公众号)

发布时间:2020.11.13