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韩国存储器相关专利申请增加,储存级存储器技术开发工作积极进行

发行日 : 2020 / 06 / 12

韩国专利厅厅长朴元周(音)8日表示,最近5年间(2014~2018年)与存储器相关的专利申请平均每年达46件,与之前5年间(2009~2013年)的年均11件相比增加了4倍以上。能够更快更有效地处理数据流量的“储存级存储器( Storage Class Memory )”相关技术开发工作正在积极进行。

储存级存储器像快闪存储器一样提供非挥发性属性,同时像DRAM( Dynamic Random Access Memory )一样以字节为单位支持随机访问。

数据处理速度与DRAM相似,具有即使中断电源供应,数据也不会消失的优秀特性,系统速度也能迅速改善10倍以上。

从申请专利的技术来看,首先将储存级存储器用作周期记忆装置(58%)最多,其次是使用辅助记忆装置(19%),再次是因周期记忆装置和辅助记忆装置的处理速度差异,用于改善瓶颈现象的缓存内存(17%)等。

主要申申请者为三星电子(29%),SK海力士(19%),英特尔(16%),美光(10%)等。

信息来源:

https://www.etnews.com/news/article.html?id=20200608000185

发布机构: 韩国网络媒体

发布时间:2020.06.08