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韩国基础科学研究院实验揭示埃米级超超精细半导体器件

发行日 : 2021 / 07 / 30

韩国基础科学研究院(IBS)7月30日表示,多维碳材料研究组带头人李宗勋和韩国蔚山科学技术大学(UNIST)、韩国浦项科技大学(POSTECH)共同研究组通过实验揭示利用新一代材料黑磷可以打造线宽4.3Å(埃•100亿分之1米)的导电通道。

二维黑磷由于只有一个原子厚,不仅柔软透明,而且与半导体新材料石墨烯不同,易于控制切换导电与不导电,因此正在成为代替石墨烯的新一代半导体器件。

研究组在多层二维黑磷各层插入铜原子后,成功地用铜原子打造了导电通道,使其维观宽度维持在0.43纳米,即4.3Å。并且利用原子分辨率透射电子显微镜(TEM)验证了这一现象。

该研究结果发表在近期的国际顶级学术期刊《Nano Letters》上。

信息来源:https://www.yna.co.kr/view/AKR20210730039300063?section=industry/technology-science

发布机构: 韩国网络媒体,发布时间:2021.07.30